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A lo largo de la historia de la informática, el camino ha sido rápido pero no fácil. Desde aquellos armarios casi mecánicos hasta los miles de transistores de un procesador, los componentes de los ordenadores han evolucionado muchísimo. Algunos son más difíciles de sustituir y de modernizar, como vienen siendo las memorias NAND. Pero claro, todo es cuestión de tiempo.

La compañía nipona Hitachi ha conseguido romper con la barrera de velocidad que hasta hoy suponía el uso de una memoria NAND convencional y ha presentado sus nuevas memorias de cambio de fase (PCM).

Esta nueva tecnología ha sido aplicada a un prototipo de SSD que presume de tener una latencia de acceso de lectura aleatoria de 1,5 microsegundos y una velocidad de lectura aleatoria de tres millones de I/Os por segundo (512 bytes).

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¿Cuánto de rápido es esto?

Vale que suena a la típica publicidad que casi nadie entiende pero impresiona, pero realmente es una barbaridad. Para que te hagas una idea, la latencia de acceso con una NAND convencional suele ser de unos 100 microsegundos, y ahora se ha pasado a 1.5, casi 70 veces más rápido.

El acceso ahora es tan rápido que se ha tenido que reestructurar el bus PCI Express para realizar las pruebas con el PCM. Básicamente lo que han hecho ha sido eliminar empaquetados y cabeceras de datos que se consideraban innecesarias en las nuevas PCM.

La nueva estructura ha recibido el nombre de DC Express, y ha sido capaz de multiplicar los 13,000 IOPS estándar de las NAND hasta 700.000 IOPS en el mismo tipo de ordenador.

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Un gran avance que no verá la luz pronto

Cuando leemos avances como este, no podemos evitar pensar en cuándo lo veremos en nuestras casas. El cambio de protocolo de almacenamiento a DC Express complica la comercialización de las PCM, por lo que es probable que comiencen a verse con normalidad más tarde que pronto. Aún así, se prevé que salgan al mercado en 2016 y poco a poco se incorporen en la arquitectura de los ordenadores.

Seguramente, no sea hasta 2020 cuando lleguen a los consumidores al 100%, con DC Express y el resto de cambios completamente implementados.

Fuente | hgst

El artículo La memoria de cambio de fase, mucho más rápida que los SSD convencionales se publicó en Omicrono (Tu mundo de actualidad, tecnología, software e Internet.)